随着摩尔定律演进速度逐渐放缓，先进封装技术成为半导体产业突破性能瓶颈的关键因素。AI大模型效应之下，高性能AI芯片以及与之相关的先进封装需求大涨，以上因素推动了头部大厂积极扩产先进封装产能，近期市场再次传出台积电扩产新动态；与此同时，半导体设备厂商围绕先进封装也在展开布局，SEMICON China 2025期间，北方华创、新凯来等厂商展出了相关先进封装技术方案，引发极大关注。
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台积电等厂商加快先进封装产能扩张
近日，媒体报道台积电正加快其在中国台湾地区的先进封装产能扩张，该公司AP8工厂和AP7工厂均已提前设备安装时间表。
其中，AP8致力于扩大CoWoS产能，预计最早于2025年4月开始安装设备，并可能于下半年开始量产；AP7工厂旨在提高SoIC技术产量，原定于2025年底进行设备安装，现已提前至8月。预计今年SoIC产量翻番至1万片，并且在2026年再翻一番。
CoWoS作为2.5D中介层封装技术的代表，可通过硅中介层实现多芯片高性能互连，正对高性能计算（HPC）、人工智能和5G通信领域的芯片带来深远影响。台积电作为先进封装领域的领头羊，该公司正持续扩大3D Fabric联盟生态，其CoWoS封装技术已支持超过200个客户项目。
SoIC通过芯片直接堆叠与硅中介层结合，属于3D芯片堆叠技术的一种。台积电的SoIC技术推动了先进封装从2.5D向3D的跨越，随着AI、元宇宙和自动驾驶对算力需求的爆发式增长，SoIC未来潜力巨大。
除了台积电之外，稍早之前媒体报道日月光买新厂扩产先进封装。
日月光投控及旗下矽品已成功拿下英伟达、AMD高性能计算（HPC）封测大单，为了应对市场需求，日月光投控在高雄厂、中科厂和虎尾厂等地积极扩充先进封装产能。其中，高雄K18厂预计2026年完工投产，将重点布局AI芯片高性能计算领域。此外，矽品中科厂和虎尾厂也在加速建设新的CoW产线，预计2025年虎尾厂将投入量产。
近期，日月光投控旗下日月光半导体宣布，取得日商住友化学旗下塑美贝科技100%股权，日月光半导体该轮投资的最终目的，是为了取得塑美贝科技在中国台湾高雄楠梓园区建厂用地的土地使用权，未来日月光半导体将在该地扩产先进封装产能。
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半导体设备厂商布局先进封装
SEMICON China 2025展会正如火如荼在上海召开，半导体设备厂商活跃，吸引大量观众驻足。值得一提的是，本次展会上，北方华创、新凯来等设备厂商展出的最新方案，瞄准了先进封装等技术。
北方华创展会期间发布公司首款12英寸电镀设备（ECP）——Ausip T830。该设备专为硅通孔（TSV）铜填充设计，主要应用于2.5D/3D先进封装领域。该产品标志着北方华创正式进军电镀设备市场，并在先进封装领域构建了包括刻蚀、去胶、PVD、CVD、电镀、PIQ和清洗设备的完整互连解决方案。
据悉，电镀作为物理气相沉积（PVD）的后道工艺，其设备与PVD设备协同工作，广泛应用于逻辑、存储、功率器件、先进封装等芯片制造工艺。在工艺流程中，PVD设备首先在槽/孔内形成籽晶层，随后电镀设备将槽/孔填充至无空隙。目前，该设备的电镀膜厚均匀性满足客户要求，能够有效填充孔直径2-12微米，孔深16-120微米的多种孔型产品。
国内半导体设备新锐创企新凯来“首秀”上海，并带来了包括外延沉积设备EPI（峨眉山）、原子层沉积设备ALD（阿里山）、物理气相沉积设备PVD（普陀山）、刻蚀设备ETCH（武夷山）、薄膜沉积设备CVD（长白山）等新品。
其中，PVD（普陀山）共包括3款设备，分别是普陀山1号（金属平面膜沉积）、普陀山2号（中道金属接触层及硬掩膜沉积）、普陀山3号（后道金属互连沉积）。
普陀山1号与3号均有涉及先进封装等领域，其中普陀山1号适用于逻辑、存储及先进封装等主流半导体金属平面膜应用场景，键膜均匀性高，同时具备高产能与高稳定性；普陀山3号适用于逻辑、存储和先进封装等主流半导体后道金属互连场景，架构领先，填孔品质优异，支持向未来先进节点演进，适用工艺包括后道金属互连，使用材料包括钽、氮化钽、钴、铜等。
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希望本篇文章《半导体先进封装，产能、技术迎新一轮发展》能对你有所帮助！
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